期刊文章详细信息
离子束刻蚀
Ion Beam Etching
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]电子部第十三研究所
年 份：1999
卷 号：24
期 号：1
起止页码：39-42
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了几种常用的干法刻蚀技术的机理，重点介绍了离子束刻蚀的基本原理，给出了５５种不同材料在５００ｅＶ能量１ｍＡ／ｃｍ２束流密度条件下的刻蚀速率，并给出了刻蚀速率随束流能量和束流密度增加而增加的试验结果和实际图形刻蚀的扫描电镜分析结果，对有关问题进行了讨论。
关 键 词：离子束刻蚀 干法刻蚀 半导体器件
分 类 号：TN305.2]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
