- 低压VDMOSFET元胞尺寸设计
- 1
- 《微电子学与计算机》西安微电子技术研究所;北京燕东微电子有限公司 屈坤 淮永进 刘建朝 出版年：2007
- 关键词：VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP
- 高压VDMOSFET击穿电压优化设计
- 2
- 《微纳电子技术》佛山市蓝箭电子有限公司;北京燕东微电子有限公司 严向阳 唐晓琦 淮永进 出版年：2008
- 关键词：纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 击穿电压 结终端扩展 终端结构 外延层厚度和掺杂浓度
- 不同发射区周长面积比双极晶体管的电离辐照效应
- 3
- 《半导体技术》北京工业大学电子信息与控制工程学院;北京燕东微电子有限公司 吕曼 张小玲 张彦秀 谢雪松 孙江超 王鹏鹏 吕长志 出版年：2013
- 关键词：双极晶体管 发射极 周长面积比 电离辐射 总剂量 退火
- 大尺寸硅片超薄技术
- 4
- 《半导体技术》北京燕东微电子有限公司;西安交通大学 唐晓琦 淮璞 出版年：2014
- 关键词：超薄芯片 超薄封装 减薄工艺 化学腐蚀 背面金属化
- 不同工艺线性稳压器电离辐射效应及退火特性
- 5
- 《微电子学》北京工业大学;北京燕东微电子有限公司 孙江超 张小玲 张彦秀 谢雪松 吕曼 吕长志 出版年：2014
- 关键词：线性稳压器 电离辐射损伤 BPSG钝化 辐射加固
- 不同发射结深LPNP晶体管的抗辐照性能研究
- 6
- 《微电子学》北京工业大学;北京燕东微电子有限公司 吕曼 张小玲 张彦秀 谢雪松 孙江超 陈成菊 吕长志 出版年：2013
- 关键词：横向PNP 双极晶体管 总剂量辐照
- 容性二极管组件及其制造方法
- 7
- [发明专利] 北京燕东微电子有限公司 20150820周源 张彦秀 韦仕贡 徐鸿卓 出版年：2015
- 高可靠SOI LDMOS功率器件
- 8
- [发明专利] 北京燕东微电子有限公司 20120410姜一波 杜寰 出版年：2016
- P-N结隔离测试方法
- 9
- [行业标准] 工业和信息化部电子第四研究院;北京燕东微电子有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所;中国电子科技集团公司第二十四研究所;中国电子科技集团公司第五十八研究所;西安电子科技大学;勤智数码科技股份有限公司 19000000 (现行)李锟 张彦秀 张文鹏 王晨杰 黄磊 王志宽 顾祥 贾新章 游海龙 罗晓羽 尹航 廖昕 赖庆华 出版年：2018
- 一种全自动倒料机
- 10
- [实用新型] 北京燕东微电子有限公司 20161230张晋雷 薛涛 马克军 出版年：2017
