期刊文章详细信息
低压VDMOSFET元胞尺寸设计
The Design of Low-Voltage VDMOSFET Cell Size
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西安微电子技术研究所,陕西西安710075 [2]北京燕东微电子有限公司,北京100029
年 份：2007
卷 号：24
期 号：12
起止页码：77-79
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：VDMOSFET的一个重要设计目标就是要在单位面积得到最小的导通电阻。理论分析了多晶硅栅长度LP和窗口扩散区长度LW对VDMOSFET特征电阻的影响,并通过大量计算得到了最小特征电阻时窗口扩散区长度LW的取值方法和多晶硅栅长度LP的取值范围。
关 键 词：VDMOSFET 特征电阻 窗口扩散区长度LW 多晶硅栅长度LP
分 类 号：TN4]
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