文献类型：期刊文章

作　　者：唐晓琦[1] 淮璞[2]

机构地区：[1]北京燕东微电子有限公司,北京100015 [2]西安交通大学,西安710049

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2014

卷　　号：39

期　　号：6

起止页码：442-446

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着器件小型化技术的发展,硅芯片厚度成为了发展超薄封装的关键问题。为了实现大尺寸硅片减薄到100μm的批量生产,研究了减薄工艺原理和大尺寸(以直径为200 mm为例)Si片超薄工艺的控制点。通过对不同减薄工艺的对比,分析了减薄工艺不同参数对减薄质量的影响,验证了不同砂轮目数、化学腐蚀工艺对硅片减薄质量、碎片率和背面金属质量的影响。根据实验数据给出了提高减薄质量、降低碎片率、提升生产效率的工艺实现方法,实现了大尺寸硅片超薄厚度的批量生产。

关 键 词：超薄芯片  超薄封装 减薄工艺  化学腐蚀 背面金属化

分 类 号：TN305.2]