文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201210103676.4

申 请 日：20120410

发 明 人：姜一波 杜寰

申 请 人：北京燕东微电子有限公司

申请人地址：100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号

公 开 日：20160504

公 开 号：CN102623506B

代 理 人：刘丽君

代理机构：11302 北京华沛德权律师事务所

语　　种：中文

摘　　要：公开了一种高可靠SOILDMOS功率器件，包括：在SOILDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOILDMOS功率器件中SOILDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOILDMOS栅附近的电位。本发明提供的高可靠SOILDMOS功率器件，在SOILDMOS的顶层硅中，制成高浓度的埋层并通过接触注入区引出，利用此埋层充分抽取SOILDMOS器件SOILDMOS栅附近的载流子，控制SOILDMOS栅附近电位，避免由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，同时抬升了LDMOS器件在静电冲击下的维持电压，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。

主 权 项：1.一种高可靠SOILDMOS功率器件，其特征在于，包括：在N型沟道SOILDMOS功率器件的顶层硅中，并且位于源极和栅极下方、靠近漂移区侧面的顶层硅的体区内注入有高浓度的埋层，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取N型沟道SOILDMOS功率器件中栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制N型沟道SOILDMOS栅附近的电位；所述N型沟道SOILDMOS是指以绝缘层上硅工艺所制成的横向双扩散晶体管器件；所述绝缘层上硅工艺包括：注氧隔离SIMOX或硅片键合反面腐蚀；所述接触注入区包括：高浓度接触注入区或金属接触引出区；所述金属接触引出区中的金属包括铝、铜、钨或其合金。

关 键 词：埋层 注入区  载流子 电位  顶层硅  高可靠 附近  接触  抽取  引出  安全工作区域  寄生晶体管 器件可靠性  静电冲击  同时抬升  维持电压  噪声电流  电学  并经  一种  电流  烧毁  控制  损伤  开启  碰撞  扩展  连接  注入  导致  公开  增强  

IPC专利分类号：H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101)