文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201510516281.0

申 请 日：20150820

发 明 人：周源 张彦秀 韦仕贡 徐鸿卓

申 请 人：北京燕东微电子有限公司

申请人地址：100015 北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号

公 开 日：20151223

公 开 号：CN105185782A

代 理 人：蔡纯;高青

代理机构：11449 北京成创同维知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：公开了容性二极管组件及其制造方法。所述容性二极管组件包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接。该容性二极管组件可以作为无极性的电容元件，可以提高瞬态电压抑制器的瞬态响应速度。

主 权 项：1.一种容性二极管组件，包括：第一导电类型的半导体衬底；位于半导体衬底上的第二导电类型的外延层，第二导电类型与第一导电类型不同；第一导电类型的隔离区，从外延层的表面穿过外延层延伸至半导体衬底中，从而在外延层中限定第一二极管的第一有源区和第二二极管的第二有源区，并且将第一有源区和第二有源区彼此隔开；第一导电类型的第一掺杂区，在第一有源区从外延层表面延伸至外延层中；第二导电类型的第二掺杂区，在第二有源区从外延层表面延伸至外延层中；以及互连结构，将隔离区和外延层位于第一有源区的部分彼此电连接。

关 键 词：外延层 有源区  第一导电类型  容性二极管  导电类型 半导体衬底  外延层表面  二极管 掺杂区  隔离区  延伸  瞬态电压抑制器 半导体衬底上  瞬态响应速度  彼此隔开  电连接。  电容元件  互连结构  组件包括  无极性 限定  穿过  公开  

IPC专利分类号：H01L27/08(20060101);H01L21/822(20060101)