文献类型：期刊文章

作　　者：严向阳[1] 唐晓琦[2] 淮永进[2]

机构地区：[1]佛山市蓝箭电子有限公司,广东佛山528000 [2]北京燕东微电子有限公司,北京100015

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2008

卷　　号：45

期　　号：10

起止页码：577-579

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。讨论了场限环和结终端扩展技术,提出了终端多区设计思路,提高了新型结构VDMOSFET的漏源击穿电压。设计了800V、6A功率VDMOSFET,同场限环技术相比,优化的结终端扩展技术,节省芯片面积10.6%,而不增加工艺流程,漏源击穿电压高达882V,提高了3%,由于芯片面积的缩小,平均芯片中测合格率提高5%,达到了预期目的,具有很好的经济价值。

关 键 词：纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管  击穿电压 结终端扩展  终端结构 外延层厚度和掺杂浓度  

分 类 号：TN386.1] TN323.4