- SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势
- 1
- 《微电子学》重庆中科渝芯电子有限公司 马羽 王志宽 崔伟 出版年：2018
- 关键词：异质结 SIGE HBT SiGe双极工艺 SIGE BICMOS工艺
- 低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺
- 2
- 《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司 王飞 陈俊 王学毅 常小宇 冉明 杨永晖 杨伟 出版年：2017
- 关键词：磁控溅射 CrSi薄膜电阻 温度系数 溅射条件 电阻率
- 键合SOI材料应力的控制技术
- 3
- 《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司 陈俊 王学毅 谭琦 杜金生 吴建 出版年：2017
- 关键词：绝缘体上硅(SOI) 微电子机械系统(MEMS) 翘曲度 张应力 压应力
- 亚微米间距PECVD填隙工艺研究
- 4
- 《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第二十四研究所;重庆中科渝芯电子有限公司 王学毅 王飞 冉明 刘嵘侃 杨永晖 出版年：2016
- 关键词：等离子增强化学气相淀积(PECVD) 二氧化硅(SiO2) 反应离子刻蚀(RIE) 三步填充法 亚微米间隙 金属间介质(IMD) 空洞
- 一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法
- 5
- [发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司 20170302刘建 刘青 税国华 张剑乔 易前宁 陈文锁 出版年：2018
- 一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法
- 6
- [发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司 20170831郭亿文 冉明 王学毅 王飞 崔伟 出版年：2018
- 一种肖特基势垒接触的沟槽型超势垒整流器
- 7
- [实用新型] 重庆中科渝芯电子有限公司 20170224陈文锁 张培健 钟怡 刘建 陆泽灼 出版年：2017
- 一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法
- 8
- [发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司 20180213刘建 刘青 税国华 张剑乔 陈文锁 张培健 出版年：2018
- 一种基于BiCMOS工艺的硅锗异质结双极晶体管的制造方法
- 9
- [发明专利] 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 20200828朱坤峰 张广胜 杨永晖 钟怡 崔伟 谭开洲 黄东 钱呈 杨法明 张培健 出版年：2020
- 多晶硅SOI基板型光电耦合器、其集成电路及制备方法
- 10
- [发明专利] 电子科技大学;重庆中科渝芯电子有限公司;四川芯合利诚科技有限公司;四川晶辉半导体有限公司;四川蓝彩电子科技有限公司;四川遂宁市利普芯微电子有限公司;气派科技股份有限公司;广东成利泰科技有限公司;四川上特科技有限公司 20190902徐开凯 冯新 李建全 赵建明 张宁 冯志成 黄兴发 李健儿 廖楠 徐银森 洪继霖 陈勇 施宝球 曾尚文 李洪贞 刘继芝 出版年：2019
