文献类型：期刊文章

作　　者：马羽[1] 王志宽[1] 崔伟[1]

MA Yu;WANG Zhikuan;CUI Wei(Analog Foundries Co.,Ltd.,Chongqing 401332,P.R.China)

机构地区：[1]重庆中科渝芯电子有限公司,重庆401332

出　　处：《微电子学》

年　　份：2018

卷　　号：48

期　　号：4

起止页码：508-514

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了基于SiGe材料的集成电路工艺技术概况,包括SiGe HBT器件结构、SiGe HBT特色双极工艺、SiGe BiCMOS工艺等。概述了SiGe工艺技术的应用情况以及国内外发展现状,并结合应用需求,提出了国内模拟集成电路制造用SiGe工艺技术的发展趋势。

关 键 词：异质结 SIGE HBT SiGe双极工艺  SIGE BICMOS工艺

分 类 号：TN304.24]