文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201710118996.X

申 请 日：20170302

发 明 人：刘建 刘青 税国华 张剑乔 易前宁 陈文锁

申 请 人：重庆中科渝芯电子有限公司

申请人地址：401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号

公 开 日：20180420

公 开 号：CN107946355A

代 理 人：王翔

代理机构：50201 重庆大学专利中心

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法；包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金属和基极金属；本发明是在常规横向双极结型集体管的基础上，在集电区与发射区之间加入了N型环状注入，再通过优化第一层金属的布局，使金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍。通过仿真以及实际流片结果得出本发明的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高30％以上、漏电能力提升一个量级。本发明提供的一种横向高压双极结型晶体管。

主 权 项：1.一种横向高压双极结型晶体管，其特征在于：包括P型衬底(100)、N型埋层(101)、P型埋层(102)、N型外延层(103)、N型重掺杂环区(104)、P型隔离穿透区(105)、N型穿通区(106)、P型环状体区(107)、N型重掺杂区(108)、场氧层(109)、预氧层(110)、TEOS金属前介质层(111)、发射区金属(112)、集电极金属(113)和基极金属(114)；所述N型埋层(101)位于P型衬底(100)上表面的中心位置；所述P型埋层(102)位于P型衬底(100)上表面的两端；所述N型外延层(103)位于N型埋层(101)之上，所述N型外延层(103)与P型衬底(100)、N型埋层(101)和P型埋层(102)相接触；所述P型隔离穿透区(105)与N型外延层(103)的两端相接触，所述P型隔离穿透区(105)的底部与P型埋层(102)的顶部相连；所述N型穿通区(106)位于N型埋层(101)的左端，所述N型穿通区(106)的底部与N型埋层(101)的顶部相连；所述P型环状体区(107)位于N型外延层(103)中间位置，所述P型环状体区(107)包括远端环状区和中心区；所述N型重掺杂区(108)呈环状结构；所述N型重掺杂区(108)的一端位于N型穿通区(106)的中间位置，另一端位于N型外延层(103)中；所述N型重掺杂环区(104)位于P型环状体区(107)的远端环状区和中心区之间的位置；所述场氧层(109)位于N型穿通区(106)上表面的外侧、穿通区(106)和P型环状体区(107)之间的上表面、P型环状体区(107)和N型重掺杂区(108)之间的上表面、N型重掺杂区(108)上表面的外侧；所述N型重掺杂区(108)为位于N型外延层(103)中的一端；所述预氧层(110)位于N型外延层(103)之上的场氧层(109)之间的位置；所述TEOS金属前介质层(111)覆盖在整个器件表面的未开接触孔的位置；所述接触孔分别位于P型环状体区(107)之内和N型穿通区(106)之内，所述接触孔与P型环状体区(107)和N型重掺杂区(108)相接触；所述发射区金属(112)位于P型环状体区(107)中心区的接触�

关 键 词：双极结型晶体管  横向高压  集电区 发射区 金属 金属前介质层  集电极金属  漏电  参数影响  常规横向  基极金属  双极结型  场氧层  穿透区  第一层  全覆盖  衬底  穿通  环区  结深 流片  氧层  隔离  优化  制造  

IPC专利分类号：H01L29/735(20060101);H01L21/331(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/08(20060101)