文献类型：期刊文章

作　　者：王飞[1,2] 陈俊[1,2] 王学毅[1,2] 常小宇[2] 冉明[1,2] 杨永晖[1,2] 杨伟[2]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [2]重庆中科渝芯电子有限公司,重庆401332

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2017

卷　　号：54

期　　号：5

起止页码：355-359

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。

关 键 词：磁控溅射 CrSi薄膜电阻  温度系数 溅射条件  电阻率

分 类 号：TN304.055]