文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201710767049.3

申 请 日：20170831

发 明 人：郭亿文 冉明 王学毅 王飞 崔伟

申 请 人：重庆中科渝芯电子有限公司

申请人地址：401332 重庆市沙坪坝区西园二路98号

公 开 日：20180227

公 开 号：CN107742607A

代 理 人：王翔

代理机构：50201 重庆大学专利中心

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层、薄膜电阻层、掩蔽层、介质层、隔离层和金属层。进行以下步骤：1)在衬底介质层上淀积一层电阻薄膜层。2)在所述电阻薄膜层上淀积一层掩蔽层。3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层和掩蔽层，形成电阻图形。4)在所述电阻图形上淀积一层介质层。利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层，保留端头介质层。5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层上多余的掩蔽层，保留端头介质层保护下的掩蔽层。6)在电阻图形上淀积隔离层，并在电阻端头刻蚀形成连接孔。7)淀积金属层，填充连接孔，引出电阻。

主 权 项：1.一种用ICP干法刻蚀制作薄膜电阻的方法，其特征在于，包括：衬底介质层(1)、薄膜电阻层(2)、掩蔽层(3)、介质层(4)、隔离层(5)和金属层(6)；进行以下步骤：1)在衬底介质层(1)上淀积一层电阻薄膜层(2)；2)在所述电阻薄膜层(2)上淀积一层掩蔽层(3)；3)通过ICP干法刻蚀的方法去除电阻薄膜层(2)和掩蔽层(3)，形成电阻图形；4)在所述电阻图形上淀积一层介质层(4)；利用光刻刻蚀工艺去除多余的介质层(4)，保留端头介质层(4)；5)利用刻蚀工艺去除薄膜电阻层(2)上多余的掩蔽层(3)，保留端头介质层(4)保护下的掩蔽层(3)；6)在电阻图形上淀积隔离层(5)，并在电阻端头刻蚀形成连接孔；7)淀积金属层(6)，填充连接孔，引出电阻。

关 键 词：介质层  掩蔽层 淀积 电阻薄膜层  电阻图形  端头  去除  薄膜电阻层  干法刻蚀 隔离层  连接孔  衬底  电阻 薄膜电阻 淀积金属  刻蚀工艺 金属层  保留  刻蚀 填充  制作  

IPC专利分类号：H01L21/306(20060101);H01L21/308(20060101);H01L23/64(20060101)