文献类型：期刊文章

作　　者：王学毅[1,2] 王飞[1,2] 冉明[1,2] 刘嵘侃[1,2] 杨永晖[1,2]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400050 [2]重庆中科渝芯电子有限公司,重庆400060

出　　处：《微纳电子技术》

年　　份：2016

卷　　号：53

期　　号：1

起止页码：60-63

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：将半导体制造中常规的等离子增强化学气相淀积(PECVD)SiO_2工艺和等离子反应离子刻蚀(RIE)SiO_2工艺结合起来,利用三步填充法实现亚微米间距的金属间介质填充制作。此方法有效解决了常规微米级等离子增强化学气相淀积工艺填充亚微米金属条间隙的空洞问题。实验结果表明,在尺寸大于0.5μm的金属条间隙中没有发现介质填充的空洞问题。空洞问题的解决,使得"三步填充法"的介质填充技术在工艺中能够实用化,并应用到亚微米多层金属布线工艺当中。

关 键 词：等离子增强化学气相淀积(PECVD)  二氧化硅(SiO2)  反应离子刻蚀(RIE)  三步填充法  亚微米间隙  金属间介质(IMD)  空洞  

分 类 号：TN304.055]