文献类型：期刊文章

作　　者：陈俊[1,2] 王学毅[1,2] 谭琦[2] 杜金生[2] 吴建[1,2]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400050 [2]重庆中科渝芯电子有限公司,重庆400060

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家技术改造项目(201608XT001Y)

年　　份：2017

卷　　号：54

期　　号：5

起止页码：304-310

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在基于绝缘体上硅(SOI)材料的IC器件及MEMS器件研发过程中,薄膜应力引起的晶圆变形、膜层脱落等工艺问题,制约了其研发进度和器件性能。对键合SOI材料整体残余应力展开研究,推出埋氧层、背面氧化层、衬底厚度与SOI整体残余应力的关系,并采用翘曲度值表征由残余应力引起的SOI形变的大小,弯曲度的正负表征SOI形变的方向。针对IC和MEMS产品在开发过程中因残余应力过大而引起的光刻无法吸片、牺牲层释放不干净等问题,通过工艺优化,制备出与残余应力方向相反、应力大小适中的SOI片,从而抵消了部分残余应力,翘曲度由200μm以上下降到100μm以内,有效解决了工艺异常问题。

关 键 词：绝缘体上硅(SOI)  微电子机械系统(MEMS)  翘曲度 张应力  压应力

分 类 号：TN304.12]