北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心
研究主题：GAN 发光二极管 MOCVD 氮化物 MOCVD生长
研究学科：电子信息类 电气类 机械类 核工程类 经济学类
被引量：91 H指数：7 WOS: 7 EI: 23 北大核心: 29 CSCD: 25
1989
1990
1991
1992
1993
1994
1995
1996
1997
1998
1999
2000
2001
2002
2003
2004
2005
2006
2007
2008
2009
2010
2011
2012
2013
2014
2015
2016
2017
2018
2019
2020
2021
2022
2023
2024
2025
-
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
2006
2005
2004
2003
2002
2001
2000
1999
1998
1997
1996
1995
1994
1993
1992
1991
1990
1989
排序方式：
相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
高亮度InGaN基白光LED特性研究 ( EI收录) 1 北京大学物理学院介观物理国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心 国家"8 63"计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~ 利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 ... 关键词：光源、InGaN、YAG、白光LED MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED ( EI收录) 2 北京大学物理学院;北京大学宽禁带半导体研究中心 国家自然科学基金 ( 6 0 2 76 0 10 );国家 86 3计划 ( 2 0 0 1AA3130 6 0 ;2 0 0 1AA313110 ;2 0 0 1AA31314 0 )资助项目 利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管... 关键词： 高亮度白光LED用外延片的新进展 3 北京大学物理学院;北京大学宽禁带半导体研究中心 国家自然科学基金(批准号:60577030);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB921607;2007CB307004)资助项目 文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的... 关键词： GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用 4 北京大学宽禁带半导体研究中心;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学信息与科学技术学院微纳电子学系 国家科技重点专项(2016YFB0400100;2016YFB0400200);国家重点基础研究发展计划项目(2013CB921901;2013CB632804);国家自然科学基金(11634002;61521004;61361166007;61376095;61522401;61574006;61204099);北京市科技计划项目(Z151100003315002)对本文涉及工作的大力支持 GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件... 关键词：GaN基宽禁带半导体 外延生长 GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化 ( EI收录) 5 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心;人工微结构和介观物理国家重点实验室 国家自然科学基金(60477011;60476028;60406007;60577030);国家"973"计划(2007CB307004);北京大学校长基金资助项目 针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极... 关键词： 半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性 ( EI收录) 6 天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室;北京大学物理学院;海南工商职业学院 国家自然科学基金(60876035,11204209,50901050,11004148,11004149)资助项目 对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电... 关键词： 第三代半导体Ⅲ族氮化物的物理与工程——从基础物理到产业发展的典范 7 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心;北京大学物理学院东莞光电研究院 荣新 李顺峰 葛惟昆 出版年：2017 国家自然科学基金项目(批准号:61376060;61674010;61704003);广东省科技计划项目(批准号:2014B090905002;2014A050503005);东莞市国际合作项目(批准号:2013508102006) 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料。作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后的新一代半导体材料,GaN具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更稳定的物理化学性质等优异... 关键词：Ⅲ族氮化物 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延 ( EI收录) 8 北京大学宽禁带半导体研究中心;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学物理学院;量子物质科学协同创新中心;教育部纳光电子前沿科学中心 国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100);国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806)。 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质... 关键词： 基于二维层状材料的激光器 ( EI收录) 9 山东师范大学物理与电子科学学院;国家纳米科学中心;北京大学工学院材料科学与工程系;北京大学宽禁带半导体研究中心;中国科学院大学 王琪 钟阳光 赵丽云 史建伟 国家自然科学基金(21673054,11874130,51991340,51991344);山东省研究生教育质量提升计划项目(SDYY18064);国家重点研发计划(2017YFA0304600)。 二维过渡金属硫族化合物(TMDC)具有独特的优势,可以作为增益材料实现激光发射。TMDC材料固有的强库仑相互作用和弱的介电屏蔽效应使其具有大的激子结合能,从而有助于实现室温下稳定的激子发光,其高达6~7的折射率能够提高光... 关键词： 三元系和四元系GaN基量子阱结构的显微结构(英文) ( EI收录) 10 北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心;中国科学院高能所 National Natural Science Foundation of China(60477011,60776042);National Basic Research Program of China( 2006CB604908,2006CB921607 );the National High Technology Program of China(2007AA03Z403);“973”Project (2007CB307004)~~ GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明,采用InGaN/GaN三元和AlInGaN/GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别,研究了这两种不同量子阱结构的显微... 关键词：
