北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心 
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研究主题：GAN 发光二极管 MOCVD 氮化物 MOCVD生长
研究学科：电子信息类 电气类 机械类 核工程类 经济学类
被引量：89H指数：7WOS: 7 EI: 23 北大核心: 29 CSCD: 25
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排序方式：
- 高亮度InGaN基白光LED特性研究 ( EI收录)
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- 《红外与毫米波学报》北京大学物理学院介观物理国家重点实验室;北京大学宽禁带半导体研究中心 李忠辉 丁晓民 杨志坚 于彤军 张国义 出版年：2002
- 国家"8 63"计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~
- 利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 ...
- 关键词：光源、InGaN、YAG、白光LED
- MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED ( EI收录)
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- 《发光学报》北京大学物理学院;北京大学宽禁带半导体研究中心 李忠辉 杨志坚 于彤军 胡晓东 杨华 陆曙 任谦 金春来 章蓓 张国义 出版年：2003
- 国家自然科学基金 ( 6 0 2 76 0 10 );国家 86 3计划 ( 2 0 0 1AA3130 6 0 ;2 0 0 1AA313110 ;2 0 0 1AA31314 0 )资助项目
- 利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管...
- 关键词：INGAN 量子阱 紫光LED MOCVD 发光二极管 外延生长 镓铟化合物 氮化镓 GaN
- 高亮度白光LED用外延片的新进展
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- 《物理》北京大学物理学院;北京大学宽禁带半导体研究中心 张国义 陆敏 陈志忠 出版年：2007
- 国家自然科学基金(批准号:60577030);国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB921607;2007CB307004)资助项目
- 文章首先介绍了发光二极管(LED)的内量子效率、外量子效率的基本概念和提高量子效率的基本方法,接着对LED外延的结构和方法做了简要介绍.文章的第三和第四部分则着重介绍了提高内、外量子效率的外延方法,这些方法包括外延结构的...
- 关键词：发光二极管 外延 量子效率 侧向外延 非极性面 可靠性
- GaN基半导体异质结构的外延生长、物性研究和器件应用
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- 《物理学进展》北京大学宽禁带半导体研究中心;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学信息与科学技术学院微纳电子学系 沈波 唐宁 杨学林 王茂俊 许福军 王新强 秦志新 出版年：2017
- 国家科技重点专项(2016YFB0400100;2016YFB0400200);国家重点基础研究发展计划项目(2013CB921901;2013CB632804);国家自然科学基金(11634002;61521004;61361166007;61376095;61522401;61574006;61204099);北京市科技计划项目(Z151100003315002)对本文涉及工作的大力支持
- GaN基宽禁带半导体异质结构具有非常强的极化效应、高饱和电子漂移速度、高击穿场强、高于室温的居里转变温度、和较强的自旋轨道耦合效应等优越的物理性质,是发展高功率微波射频器件不可替代的材料体系,也是发展高效节能功率电子器件...
- 关键词：GaN基宽禁带半导体 外延生长 二维电子气 输运性质 自旋性质 GaN基电子器件
- GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化 ( EI收录)
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- 《发光学报》北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心;人工微结构和介观物理国家重点实验室 潘华璞 黄利伟 李睿 林亮 陈志忠 张国义 胡晓东 出版年：2007
- 国家自然科学基金(60477011;60476028;60406007;60577030);国家"973"计划(2007CB307004);北京大学校长基金资助项目
- 针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极...
- 关键词：GAN基LED 电流扩展 串联电阻 有限元方法 电极结构
- 半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性 ( EI收录)
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- 《光电子．激光》天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室;北京大学物理学院;海南工商职业学院 李杨 冯列峰 李丁 王存达 邢琼勇 张国义 出版年：2013
- 国家自然科学基金(60876035,11204209,50901050,11004148,11004149)资助项目
- 对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电...
- 关键词：发光二极管(LED) 负电容 电导 P-N结
- 第三代半导体Ⅲ族氮化物的物理与工程——从基础物理到产业发展的典范
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- 《物理与工程》北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心;北京大学物理学院东莞光电研究院 荣新 李顺峰 葛惟昆 出版年：2017
- 国家自然科学基金项目(批准号:61376060;61674010;61704003);广东省科技计划项目(批准号:2014B090905002;2014A050503005);东莞市国际合作项目(批准号:2013508102006)
- 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物属于宽禁带半导体,即通常所谓"第三代"半导体材料。作为Si、Ge以及传统Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体之后的新一代半导体材料,GaN具有更大的禁带宽度、更高的击穿电场、更稳定的物理化学性质等优异...
- 关键词：Ⅲ族氮化物 发光二极管 半导体技术 产业化 物理与工程的结合
- 基于二维层状材料的激光器 ( EI收录)
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- 《中国激光》山东师范大学物理与电子科学学院;国家纳米科学中心;北京大学工学院材料科学与工程系;北京大学宽禁带半导体研究中心;中国科学院大学 王琪 钟阳光 赵丽云 史建伟 张帅 王公堂 张青 刘新风 出版年：2020
- 国家自然科学基金(21673054,11874130,51991340,51991344);山东省研究生教育质量提升计划项目(SDYY18064);国家重点研发计划(2017YFA0304600)。
- 二维过渡金属硫族化合物(TMDC)具有独特的优势,可以作为增益材料实现激光发射。TMDC材料固有的强库仑相互作用和弱的介电屏蔽效应使其具有大的激子结合能,从而有助于实现室温下稳定的激子发光,其高达6~7的折射率能够提高光...
- 关键词：激光器 半导体激光器 过渡金属硫族化合物(TMDC) 光学微腔 光与物质相互作用
- 氮化物宽禁带半导体的MOCVD大失配异质外延 ( EI收录)
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- 《人工晶体学报》北京大学宽禁带半导体研究中心;北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室;北京大学物理学院;量子物质科学协同创新中心;教育部纳光电子前沿科学中心 沈波 杨学林 许福军 出版年：2020
- 国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100);国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806)。
- 以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质...
- 关键词：氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 大失配异质外延 宽禁带半导体
- MOVPE生长GaN的表面反应机理 ( EI收录)
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- 《发光学报》江苏大学能源与动力工程学院;北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心;东莞中镓半导体科技有限公司 辛晓龙 左然 童玉珍 张国义 出版年：2015
- 国家自然科学基金(61176009;61474058);国家自然科学基金重大仪器装备专项(61327801);国家重点基础研究发展计划(2011CB013101);国家高技术研究发展计划(2014AA032605);广东省引进创新科研团队计划(2009010044)资助项目
- 利用量子化学的DFT理论,对MOVPE生长GaN薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;...
- 关键词：GAN薄膜 MOVPE DFT 表面反应
