文献类型：期刊文章

作　　者：潘华璞[1,2] 黄利伟[1,2] 李睿[1,2] 林亮[1,2] 陈志忠[1,2] 张国义[1,2] 胡晓东[1,2]

机构地区：[1]北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心 [2]人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(60477011;60476028;60406007;60577030);国家"973"计划(2007CB307004);北京大学校长基金资助项目

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：1

起止页码：114-120

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定量的比较,给出了优化的电极结构。计算结果显示,在相同工艺参数下,采用插指型电极结构的LED与采用传统型电极结构和扩展正极型电极结构的LED相比,电流扩展更均匀,串联电阻更小。在此基础上,对插指型电极结构作了进一步的参数优化,得出了使LED的串联电阻取最小值时的插指型电极的结构参数。根据优化得到的参数制作了相应的LED样品,并与采用扩展正极型电极结构的LED做了对比实验。实验结果表明,计算得出的结果与实验结果符合得很好。采用了优化后的插指型电极结构的LED与采用扩展正极型电极结构的LED相比,前者的串联电阻仅为后者的44.4%。

关 键 词：GAN基LED 电流扩展 串联电阻 有限元方法 电极结构

分 类 号：O482.31] TN312.8[物理学类]