文献类型：期刊文章

作　　者：李杨[1,3] 冯列峰[1] 李丁[2] 王存达[1,2] 邢琼勇[3] 张国义[2]

机构地区：[1]天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津300072 [2]北京大学物理学院,宽禁带半导体研究中心人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京100871 [3]海南工商职业学院,海南海口570203

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家自然科学基金(60876035,11204209,50901050,11004148,11004149)资助项目

年　　份：2013

卷　　号：24

期　　号：4

起止页码：663-668

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20131916322001)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正向电学特性的理论研究提供实验基础。

关 键 词：发光二极管(LED) 负电容 电导 P-N结

分 类 号：TN312.8]