文献类型：期刊文章

作　　者：沈波[1,2,3,4,5] 杨学林[1,2,3] 许福军[1,2,3]

SHEN Bo;YANG Xuelin;XU Fujun(Research Center for Wide Gap Semiconductors,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Microscopic Physics,Peking University,Beijing 100871,China;School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;Collaborative Innovation Center of Quantum Matter,Beijing 100871,China;Nano-optoelectronics Frontier Center of Ministry of Education,Beijing 100871,China)

机构地区：[1]北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871 [2]北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871 [3]北京大学物理学院,北京100871 [4]量子物质科学协同创新中心,北京100871 [5]教育部纳光电子前沿科学中心,北京100871

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家重点研发计划(2018YFE0125700,2016YFB0400100);国家自然科学基金(1634002,61521004,61927806)。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：11

起止页码：1953-1969

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以氮化镓(GaN)、AlN(氮化铝)为代表的Ⅲ族氮化物宽禁带半导体是研制短波长光电子器件和高频、高功率电子器件的核心材料体系。由于缺少高质量、低成本的同质GaN和AlN衬底,氮化物半导体主要通过异质外延,特别是大失配异质外延来制备。由此导致的高缺陷密度、残余应力成为当前深紫外发光器件、功率电子器件等氮化物半导体器件发展的主要瓶颈,严重影响了材料和器件性能的提升。本文简要介绍了氮化物半导体金属有机化学气相沉积(MOCVD)大失配异质外延的发展历史,重点介绍了北京大学在蓝宝石衬底上AlN、高Al组分AlGaN的MOCVD外延生长和p型掺杂、Si衬底上GaN薄膜及其异质结构的外延生长和缺陷控制等方面的主要研究进展。最后对Ⅲ族氮化物宽禁带半导体MOCVD大失配异质外延的未来发展做了简要展望。

关 键 词：氮化镓 氮化铝 金属有机化学气相沉积(MOCVD)  大失配异质外延  宽禁带半导体

分 类 号：O484.1] TN36[物理学类]