文献类型：期刊文章

作　　者：李忠辉[1,2] 杨志坚[1,2] 于彤军[1,2] 胡晓东[1,2] 杨华[1,2] 陆曙[1,2] 任谦[1,2] 金春来[1,2] 章蓓[1,2] 张国义[1,2]

机构地区：[1]北京大学物理学院,介观物理国家重点实验室 [2]北京大学宽禁带半导体研究中心,北京100871

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金 ( 6 0 2 76 0 10 );国家 86 3计划 ( 2 0 0 1AA3130 6 0 ;2 0 0 1AA313110 ;2 0 0 1AA31314 0 )资助项目

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：1

起止页码：107-109

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。

关 键 词：INGAN 量子阱  紫光LED  MOCVD 发光二极管  外延生长  镓铟化合物  氮化镓  GaN  

分 类 号：TN312.08] O472.31]