文献类型：期刊文章

作　　者：李忠辉[1,2] 丁晓民[1,2] 杨志坚[1,2] 于彤军[1,2] 张国义[1,2]

机构地区：[1]北京大学物理学院介观物理国家重点实验室,北京1000871 [2]北京大学宽禁带半导体研究中心

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：国家"8 63"计划招标项目 (批准号 2 0 0 1AA3 13 14 0 ) ~~

年　　份：2002

卷　　号：21

期　　号：5

起止页码：390-392

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000178836400015)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用自行研制的InGaN GaNSQW蓝光LED芯片和YAG :Ge3 + 荧光粉制作了高亮度白光LED(Φ3) ,并对其发光强度、色度坐标、I V、色温及显色性等特性进行了研究 .实验结果表明 :室温下 ,正向电流为 2 0mA时 ,白光LED的轴向发光强度为 1 1～ 2 3cd ,正向电压小于 3 5V ,色度坐标为 (0 2 8,0 34) ,显色指数约为 70 .

关 键 词：光源、InGaN、YAG、白光LED  

分 类 号：TN312.8]