云南大学光电信息材料研究所 
研究主题：SI 离子束溅射 GE量子点 温度 离子注入
研究学科：电子信息类 电气类 机械类 自动化类 能源动力类
- 离子束溅射Ge量子点的应变调制生长 ( EI收录)
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- 《物理学报》云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所;昆明理工大学冶金与能源工程学院 杨杰 王茺 靳映霞 李亮 陶东平 杨宇 出版年：2012
- 关键词：GE量子点 埋层应变 离子束溅射
- 渐变带隙氢化非晶硅锗薄膜太阳能电池的优化设计 ( EI收录)
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- 《物理学报》云南大学光电信息材料研究所 柯少颖 王茺 潘涛 何鹏 杨杰 杨宇 出版年：2014
- 关键词：a-SiGe H薄膜 太阳能电池 渐变带隙 能带补偿
- 离子束溅射自组装Ge/Si量子点生长的演变 ( EI收录)
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- 《物理学报》云南大学工程技术研究院 张学贵 王茺 鲁植全 杨杰 李亮 杨宇 出版年：2011
- 关键词：离子束溅射 量子点 表面形貌 RAMAN光谱
- SiGe∶H薄膜太阳能电池研究进展 ( EI收录)
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- 《材料导报》云南大学光电信息材料研究所 柯少颖 王茺 杨宇 出版年：2014
- 关键词：SiGe∶H薄膜 太阳能电池 光谱响应 转换效率 叠层技术
- 半导体量子点集成有机发光二极管的光光转换器进展
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- 《红外技术》云南大学光电信息材料研究所;云南大学物理系;多伦多大学材料科学与工程系 杨宇 靳映霞 王登科 杨杰 王茺 吕正红 出版年：2013
- 关键词：半导体量子点 有机发光二极管 光-光转换器
- 温度对绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET电学特性的影响 ( EI收录)
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- 《人工晶体学报》云南大学光电信息材料研究所;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 于杰 王茺 杨洲 胡伟达 杨宇 出版年：2013
- 关键词：温度 应变SiGe沟道 P-MOSFET 自热效应
- 硅缺陷发光的研究概况
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- 《功能材料信息》云南大学光电信息材料研究所 杨宇 出版年：2009
- 关键词：硅 缺陷 发光
- Ge 组分对应变 Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 电学特性影响 ( EI收录)
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- 《物理学报》云南大学光电信息材料研究所;中国科学院上海技术物理研究所 杨洲 王茺 王洪涛 胡伟达 杨宇 出版年：2011
- 关键词：应变Si1-x Gex 沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容
- Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究 ( EI收录)
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- 《人工晶体学报》云南大学光电信息材料研究所 陆顺其 王茺 靳映霞 卜琼琼 杨宇 出版年：2012
- 关键词：化学吸附 表面吸附能 密度泛函理论
- 缓冲层厚度对Ge／Si多层膜的影响 ( EI收录)
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- 《人工晶体学报》云南大学工程技术研究院 欧阳焜 王茺 杨杰 夏中高 薄锐 杨宇 出版年：2009
- 关键词：缓冲层 周期结构 颗粒尺寸 红外吸收
