文献类型：期刊文章

作　　者：张学贵[1] 王茺[1] 鲁植全[1] 杨杰[1] 李亮[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学工程技术研究院,光电信息材料研究所,昆明650091

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10964016,10990103);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012);教育部学术研究重点项目(批准号:210207)资助的项目~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：9

起止页码：480-486

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000295114000070)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用离子束溅射技术,通过改变Ge的沉积量,在n型Si(100)衬底上自组装生长了一系列Ge量子点样品.利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,系统地研究了Ge量子点形貌、密度、尺寸大小以及Ge的结晶性和量子点中组分等随Ge沉积量的演变规律.结果表明:Ge层从二维薄层向三维岛过渡过程中,没有观察到传统的由金字塔形向圆顶形量子点过渡,而是直接呈圆顶形生长;且随着Ge沉积量的增加,量子点密度先增大后减小,Ge的结晶性增强同时Ge/Si互混加剧,量子点中Si的组分增加.

关 键 词：离子束溅射 量子点 表面形貌 RAMAN光谱

分 类 号：O471.1]