文献类型：期刊文章

作　　者：于杰[1] 王茺[1] 杨洲[1] 胡伟达[2] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学光电信息材料研究所,昆明650091 [2]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(10990103;11274266);教育部科学技术研究重点(210207);云南省自然基金重点资助项目(2008CC012)

年　　份：2013

卷　　号：42

期　　号：5

起止页码：875-879

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20132716471409)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文利用二维数值模拟方法,模拟分析了不同工作温度时绝缘层上应变SiGe沟道p-MOSFET的输出特性和亚阈值特性。结果表明:随着器件工作温度的不断提高,漏源饱和电流单调减小;亚阈值电流略有增大;亚阈值摆幅的改变量ΔS与温度基本上成线性关系;阈值电压不断地向正方向偏移。通过考虑自热效应的影响,不同Ge组分器件的漏源饱和电流均有不同程度的降低,且随着Ge组分的增加,漏源饱和电流的降低幅度增大。

关 键 词：温度 应变SiGe沟道  P-MOSFET 自热效应

分 类 号：TN386.1]