文献类型：期刊文章

作　　者：陆顺其[1] 王茺[1] 靳映霞[1] 卜琼琼[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学光电信息材料研究所,昆明650091

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(10964016;10990103);云南省自然基金重点(2008CC012);教育部科学技术研究重点(210207)资助的项目

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：4

起止页码：1037-1042

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20124215572193)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。

关 键 词：化学吸附 表面吸附能  密度泛函理论

分 类 号：O78]