文献类型：期刊文章

作　　者：欧阳焜[1] 王茺[1] 杨杰[1] 夏中高[1] 薄锐[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学工程技术研究院,光电信息材料研究所,昆明650091

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.60567001);云南省社会发展自然基金(No.2008CC012)

年　　份：2009

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：902-907

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20093812326821)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用离子束溅射技术,通过改变Si缓冲层厚度,在p型Si衬底生长了一系列的Ge/Si多层膜样品。利用Raman光谱、X射线小角衍射以及原子力显微镜等分析测试技术,研究了多层薄膜的结晶、膜层结构、表面形貌等性质。结果表明:通过引入缓冲层,在一定程度上可以提高颗粒的结晶性;随着缓冲层逐渐沉积,来自界面态的影响有了明显的减弱,且多层膜结构的生长得到有效改善。红外吸收光谱实验表明多层膜的吸收特性与其周期结构密切相关,因此可以通过改变缓冲层厚度的方法,实现对多层薄膜红外吸收特性的调制。

关 键 词：缓冲层 周期结构  颗粒尺寸 红外吸收

分 类 号：O484.4]