文献类型：期刊文章

作　　者：杨洲[1] 王茺[1] 王洪涛[1] 胡伟达[2] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学光电信息材料研究所,昆明650091 [2]中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10964016,60567001);教育部科学技术研究重点项目(批准号:210207);云南省自然基金重点项目(批准号:2008CC012)资助的课题~~

年　　份：2011

卷　　号：60

期　　号：7

起止页码：547-552

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGex沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGex沟道的长度,并结合相关物理模型,在低电场情况下,沟道中的空穴迁移率与总电阻对沟道长度的微分成反比关系.

关 键 词：应变Si1-x  Gex  沟道 P-MOSFET 空穴迁移率 栅电容

分 类 号：TN386]