文献类型：期刊文章

作　　者：柯少颖[1] 王茺[1] 潘涛[1] 何鹏[1] 杨杰[1] 杨宇[1]

机构地区：[1]云南大学光电信息材料研究所,昆明650091

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11274266,10990103);云南大学理工项目基金(批准号:2012CG008);云南省应用基础研究计划重点项目(批准号:2013FA029)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：2

起止页码：406-414

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20140917382792)、INSPEC、JST、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000332618800054)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用一维微电子-光电子结构分析软件(AMPS-1D)在AM1.5G(100 mW/cm2)、室温条件下模拟和比较了有、无渐变带隙氢化非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜太阳能电池的各项性能.计算结果表明:渐变带隙结构电池具有较高的开路电压(V oc)和较好的填充因子(FF),转换效率(E ff)比非渐变带隙电池提高了0.477%.研究了氢化非晶硅(a-Si:H)、氢化非晶碳化硅(a-SiC:H)和氢化纳米晶硅(nc-Si:H)三种不同材料的窗口层对a-SiGe:H薄膜太阳能电池性能的影响.结果显示:在以nc-Si:H为窗口层的电池能带中,费米能级E F已经进入价带,使得窗口层电导率及电池开路电压有所提高,又由于ITO与p-nc-Si:H的接触势垒较低,使得接触处的电场降低,更有利于载流子的收集.另一方面,窗口层与a-SiGe:H薄膜之间存在较大的带隙差,在p/i界面由于能带补偿作用形成了价带势垒(带阶)?E v,阻碍了空穴的迁移,因此我们在p/i界面引入缓冲层,使得能带补偿作用得到释放,更有利于空穴的迁移和收集,得到优化后单结渐变带隙a-SiGe:H薄膜结构太阳能电池的转换效率达到了9.104%.

关 键 词：a-SiGe  H薄膜  太阳能电池 渐变带隙  能带补偿  

分 类 号：TM914.4]