登录    注册    忘记密码

山东华光光电子有限公司 收藏

导出分析报告

研究主题:半导体激光器    激光器    管芯    GAN基LED    热沉    

研究学科:电子信息类    电气类    机械类    自动化类    

被引量:64H指数:5WOS: 1 EI: 17 北大核心: 28 CSCD: 29

-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一机构
结果分析中...
排序方式:

311 条 记 录,以下是 1-10

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究 ( EI收录)
1
《人工晶体学报》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 邵慧慧 李树强 曲爽 李毓锋 王成新 徐现刚  出版年:2010
国家自然科学基金(No.50721002;50802053)资助项目;国家高技术研究发展计划(863)(2007AA03Z405)资助项目;教育部科技创新工程重大项目(No.707039)
利用湿法腐蚀方法,制备出图形化蓝宝石衬底(PSS)。在相同的腐蚀时间下,研究腐蚀液温度对腐蚀蓝宝石表面形貌和外延后GaN材料的影响。扫描电镜(SEM)测试结果表明:随着腐蚀液温度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布...
关键词:湿法腐蚀 蓝宝石图形衬底 GAN 外延层
高透腔面大功率650nm红光半导体激光器 ( EI收录)
2
《中国激光》山东大学信息科学与工程学院晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 夏伟 马德营 王翎 李树强 汤庆敏 张新 刘琦 任忠祥 徐现刚  出版年:2007
利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 n...
关键词:激光器 红光半导体激光器  大功率 高透腔面  650  NM
532nm连续激光对砷化镓材料损伤的研究
3
《量子电子学报》山东大学信息科学与工程学院;国防科技大学光电科学与工程学院;山东华光光电子有限公司 李永富 祁海峰 王青圃 张行愚 刘泽金 王玉荣 魏爱俭 夏伟 张飒飒  出版年:2007
国家自然科学基金(69978009)和(60677027);教育部博士点基金(20060422025)
利用532 nm连续激光对掺Si的n型砷化镓材料进行作用,材料的晶轴方向为<100>偏<111A>方向15°。实验观察到,连续激光与材料相互作用过程中,材料作用表面的反射光在观察屏上形成环状结构,认为是由夫琅和费衍射产生...
关键词:激光技术 激光损伤阈值 夫琅和费衍射  砷化镓材料 532  nm连续激光  热传导
76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器(英文) ( EI收录)
4
《中国激光》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 蒋锴 李沛旭 沈燕 张新 汤庆敏 任忠祥 胡小波 徐现刚  出版年:2014
国家973计划(2011CB301904,2009CB930503);国家自然科学基金(51021062,11134006)
为改善宽面940nm半导体激光二极管(LD)的输出功率及光电转换效率(WPE),设计并制作了一种包含梯度渐变折射率(GRIN)结构的新型量子阱激光器。通过二维自洽软件模拟计算了新结构激光器与传统分别限制结构(SCH)激光...
关键词:激光器 激光二极管 梯度渐变折射率结构  高功率 高光电转换效率  
ITO掩膜干法粗化GaP提高红光LED的提取效率 ( EI收录)
5
《光电子.激光》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 巩海波 郝霄鹏 夏伟 吴拥中 徐现刚  出版年:2010
国家"863"计划资助项目(2007AA03Z405);国家"973"计划资助项目(2009CB930503)
采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200~500 nm、腐蚀深度约2...
关键词:表面粗化 干法刻蚀 发光二极管(LED) 提取效率  
烧结温度对AuSn焊料薄膜及封装激光器性能的影响
6
《半导体技术》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 杨扬 孙素娟 李沛旭 夏伟 徐现刚  出版年:2015
采用不同温度对Au80Sn20共晶合金焊料进行烧结实验,研究了Au Sn焊料薄膜在烧结后的形貌、物相组成以及对封装激光器的性能影响等。焊料在烧结后形成ζ相Au5Sn和δ相Au Sn两种金属间化合物,随着烧结温度的上升,两...
关键词:激光器 金锡焊料  烧结  温度 金属间化合物
MOCVD生长1.06μm InGaAs/GaAs量子阱LDs ( EI收录)
7
《光电子.激光》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 潘教青 黄柏标 张晓阳 岳金顺 秦晓燕 于永芹 尉吉勇  出版年:2003
用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL...
关键词:MOCVD INGAAS/GAAS量子阱 LDs  半导体激光器 应变量子阱 中断生长  应变缓冲层  
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器 ( EI收录)
8
《人工晶体学报》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东大学信息科学与工程学院;山东华光光电子有限公司 马德营 李佩旭 夏伟 李树强 汤庆敏 张新 任忠祥 徐现刚  出版年:2009
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激光器。采用选择...
关键词:窗口结构  ZN扩散 热阻 ALGAINP 半导体激光器
电子束蒸发与磁控溅射制备Al/PI复合薄膜的性能研究
9
《稀有金属快报》山东天诺光电材料有限公司;山东华光光电子有限公司;山东建筑大学 余凤斌 夏祥华 朱德明 夏伟 冯立明  出版年:2008
国防基础科研项目(B0920061337);济南市科技攻关项目(065012)
利用磁控溅射法和电子束蒸发法在聚酰亚胺(PI)薄膜基底上沉积了铝功能膜。测试了两种方法薄膜的膜厚、附着力、反射率、折射率和电导率。结果表明,磁控溅射法制备的铝膜的综合性能较电子束蒸制备的铝膜的性能优越。
关键词:电子束蒸发 磁控溅射 AI/PI膜  性能  
光纤微透镜侧面镀膜方法和应用的研究 ( EI收录)
10
《人工晶体学报》山东大学晶体材料国家重点实验室;山东华光光电子有限公司 于果蕾 胡小波 徐现刚  出版年:2015
国家重点基础研究发展计划(973)(2013CB632800);国家自然科学基金(11134006);山东大学自然科学专项(2014QY005)
研究了采用光纤微透镜作为半导体激光器光斑快轴压缩透镜的方法。通过在光纤的两个对称侧弧面镀制增透膜,减少了光纤微透镜对光的反射,其反射率由原来的4%降低到0.3%以下,有效的避免了形成激光器的腔外腔,进而消除了因半导体激光...
关键词:半导体激光器 光斑快轴压缩  光纤微透镜侧面  增透膜
已选条目 检索报告 聚类工具

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心