文献类型：期刊文章

作　　者：潘教青[1] 黄柏标[1] 张晓阳[1] 岳金顺[2] 秦晓燕[1] 于永芹[1] 尉吉勇[1]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100 [2]山东华光光电子有限公司,山东济南250010

出　　处：《光电子．激光》

年　　份：2003

卷　　号：14

期　　号：6

起止页码：590-593

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs量子阱,采用中断生长、应变缓冲层(SBL)、改变生长速度和调节Ⅴ/Ⅲ等方法改善InGaAs/GaAs量子阱的光致发光(PL)质量。PL结果表明,10s生长中断结合适当的SBL生长的量子阱PL谱较好。该量子阱应用于1.06μm激光器的制备,未镀膜的宽条激光器(100μm×1000μm)有低阈值电流密度(110A/cm2)和高的斜率效率(0.256W/A,per.facet)。

关 键 词：MOCVD INGAAS/GAAS量子阱 LDs  半导体激光器 应变量子阱 中断生长  应变缓冲层  

分 类 号：TN248.4]