文献类型：期刊文章

作　　者：巩海波[1] 郝霄鹏[1] 夏伟[1,2] 吴拥中[1] 徐现刚[1,2]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100 [2]山东华光光电子有限公司,山东济南250101

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家"863"计划资助项目(2007AA03Z405);国家"973"计划资助项目(2009CB930503)

年　　份：2010

卷　　号：21

期　　号：9

起止页码：1287-1290

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20104113293257)、SCOPUS、核心刊

摘　　要：采用氧化铟锡(ITO)颗粒掩膜,经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后制作了表面粗化的红光发光二极管(LED),并且研究了ITO腐蚀时间对粗化表面形貌的影响。测试结果表明,当粗化颗粒的大小为200～500 nm、腐蚀深度约200～400 nm时,能使制作的表面粗化红光LED在20 mA注入电流下光提取效率提高30%以上。并且,表面粗化不会影响LED的发光强度角度分布。

关 键 词：表面粗化 干法刻蚀 发光二极管(LED) 提取效率  

分 类 号：TN312.8]