文献类型：期刊文章

作　　者：夏伟[1] 马德营[1] 王翎[1] 李树强[1] 汤庆敏[2] 张新[2] 刘琦[2] 任忠祥[2] 徐现刚[1]

机构地区：[1]山东大学信息科学与工程学院晶体材料国家重点实验室,山东济南250100 [2]山东华光光电子有限公司,山东济南250101

出　　处：《中国激光》

年　　份：2007

卷　　号：34

期　　号：9

起止页码：1182-1184

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20074410900586)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用石英闭管法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长的应变量子阱(MQW)650 nm AlGaInP/GaInP材料进行选择区域扩Zn,使扩Zn区域的光致发光(PL)谱的峰值蓝移达175 meV,形成对650 nm波长激光器的高透腔面,有益于减少激光器腔面光吸收,增加了激光器退化的光学灾变损伤(COD)阈值.后工艺制作出条宽100μm,腔长1 mm的增益导引激光器,实现了红光半导体激光器的大功率输出.激光器阈值电流为382 mA,在2.28 A工作电流时达到光学灾变损伤阈值,最大连续输出光功率1.55 W,外微分量子效率达到0.82 W/A.

关 键 词：激光器 红光半导体激光器  大功率 高透腔面  650  NM

分 类 号：TN248.4]