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期刊文章详细信息

76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940nm半导体激光器(英文)  ( EI收录)  

76% Maximum Wall Plug Efficiency of 940nm Laser Diode with Step Graded Index Structure

  

文献类型:期刊文章

作  者:蒋锴[1] 李沛旭[2] 沈燕[2] 张新[2] 汤庆敏[2] 任忠祥[2] 胡小波[1] 徐现刚[1]

机构地区:[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250199 [2]山东华光光电子有限公司,山东济南250101

出  处:《中国激光》

基  金:国家973计划(2011CB301904,2009CB930503);国家自然科学基金(51021062,11134006)

年  份:2014

卷  号:41

期  号:4

起止页码:12-15

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20142117752696)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:为改善宽面940nm半导体激光二极管(LD)的输出功率及光电转换效率(WPE),设计并制作了一种包含梯度渐变折射率(GRIN)结构的新型量子阱激光器。通过二维自洽软件模拟计算了新结构激光器与传统分别限制结构(SCH)激光器的能带结构,结果表明新的激光器结构能够显著消除各异质结间的过渡势垒。通过低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法生长了高质量激光器外延材料。制成后的100μm条宽、2000μm腔长的激光器器件在室温25℃下经过连续(CW)电流测试发现,梯度渐变折射率结构激光器较分别限制结构激光器在10A电流下电压约低0.07V。通过结构与生长优化,激光器内吸收系数从0.52cm-1降至0.43cm-1,最大光电转换效率由69%提升至76%。最终制成的940nm半导体激光器器件室温25℃下输出功率10.0W(10A电流时),斜率效率高达1.24W/A。

关 键 词:激光器 激光二极管 梯度渐变折射率结构  高功率 高光电转换效率  

分 类 号:O471]

参考文献:

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同被引文献:

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