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微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室 收藏

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研究主题:光接收机前端    单片集成    光电集成电路    眼图    5GB/S    

研究学科:电子信息类    

被引量:20H指数:2WOS: 4 EI: 4 北大核心: 17 CSCD: 17

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19 条 记 录,以下是 1-10

AlGaN/GaN HEMT的B^+注入隔离
1
《固体电子学研究与进展》单片集成电路与模块国家级重点实验室 李肖 陈堂胜 李忠辉 焦刚 任春江  出版年:2007
报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN ...
关键词:离子注入 隔离  氮化镓 高电子迁移率晶体管
4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT
2
《固体电子学研究与进展》单片集成电路与模块国家级重点实验室 任春江 李忠辉 焦刚 董逊 李肖 陈堂胜 李拂晓  出版年:2007
报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013...
关键词:氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 单位截止频率  最高振荡频率
A 10Gb/s GaAs PHEMT High Gain Preamplifier for Optical Receivers ( EI收录)
3
《Journal of Semiconductors》电子科技大学光电信息学院;南京电子器件研究所;单片集成电路与模块国家级重点实验室 焦世龙 杨先明 赵亮 李辉 陈镇龙 陈堂胜 邵凯 叶玉堂  出版年:2007
国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~
A high gain cascade connected preamplifier for optical receivers is developed with 0.5μm GaAs PHEMT technology...
关键词:GaAs PHEMT  optical receiver  PREAMPLIFIER eye diagram  CASCADE
5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端 ( EI收录)
4
《Journal of Semiconductors》电子科技大学光电信息学院;单片集成电路与模块国家级重点实验室;南京电子器件研究所 焦世龙 陈堂胜 钱峰 冯欧 蒋幼泉 李拂晓 邵凯 叶玉堂  出版年:2007
国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于1...
关键词:金属-半导体-金属光探测器  分布放大器 光接收机 眼图
新型电极材料石墨烯在LED中的应用
5
《激光与光电子学进展》南京大学电子科学与工程学院;微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室 吴才川 刘斌 谢自力 修向前 陈鹏 韩平 张荣 孔月婵 陈辰  出版年:2013
国家973计划(2011CB301900;2012CB619304;2010CB327504);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;61274003;60936004;61176063);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金(BK2011010);江苏高校优势学科建设工程资助项目;南京大学扬州光电研究院研发基金
石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨...
关键词:光电子学 石墨烯 氧化铟锡 发光二极管
短波长OEIC光接收机前端设计及制作
6
《微电子学》电子科技大学光电信息学院;单片集成电路与模块国家级重点实验室 范超 陈堂胜 陈辰 焦世龙 陈镇龙 刘霖 王昱琳 叶玉堂  出版年:2008
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708)
基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型...
关键词:光电集成电路 光接收机前端 PIN  金属-半导体-金属  跨阻放大器 分布参数放大器  
5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端
7
《固体电子学研究与进展》电子科技大学光电信息学院;单片集成电路与模块国家级重点实验室;南京电子器件研究所 焦世龙 陈堂胜 蒋幼泉 冯欧 冯忠 杨立杰 李拂晓 陈辰 邵凯 叶玉堂  出版年:2006
关键词:接收机前端  单片集成 PHEMT GAAS b/s  MSM 前置放大器  光探测器  
单片集成GaAsPIN/PHEMT光接收机前端工艺研究
8
《固体电子学研究与进展》南京电子器件研究所;电子科技大学光电信息学院;单片集成电路与模块国家级重点实验室 冯忠 焦世龙 冯欧 杨立杰 蒋幼泉 陈堂胜 陈辰 叶玉堂  出版年:2008
国家自然科学基金(No.60277088);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(No.51491050105DZ0201)
利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共...
关键词:单片集成 光探测器  分布放大器 光接收机 眼图
可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计
9
《电子与封装》单片集成电路与模块国家级重点实验室 汪珍胜 陈效建 郑惟彬 李辉  出版年:2006
单片集成电路与模块国家级重点实验室基金项目支持(项目号:51491010205DZ6502)
文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器...
关键词:微波单片集成电路 频率均衡器 可调增益  级联型分布放大器  微波功率模块
级联型单级分布式宽带单片功率放大器
10
《固体电子学研究与进展》单片集成电路与模块国家级重点实验室 曹海勇 陈效建 钱峰  出版年:2008
单片集成电路与模块国家重点实验室基金项目支持(项目号:51491010205DZ6502)
报道了一个采用级联型单级分布式结构的宽带单片功率放大器的设计方法和研制结果。文中通过拓扑比较和人工传输线理论研究,分析出该功放设计的难点,并基于仿真实验,给出解决方案。最终研制的两级单片功放在6~18GHz频率范围内线性...
关键词:微波单片集成电路 级联型单级分布式放大器  宽带功率放大器
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