文献类型：期刊文章

作　　者：范超[1,2] 陈堂胜[2] 陈辰[2] 焦世龙[1,2] 陈镇龙[1] 刘霖[1] 王昱琳[1] 叶玉堂[1]

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054 [2]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《微电子学》

基　　金：单片集成电路与模块国家级重点实验室基金资助项目(9140C1406020708)

年　　份：2008

卷　　号：38

期　　号：5

起止页码：713-717

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。

关 键 词：光电集成电路 光接收机前端 PIN  金属-半导体-金属  跨阻放大器 分布参数放大器  

分 类 号：TN43]