文献类型：期刊文章

作　　者：汪珍胜[1] 陈效建[1] 郑惟彬[1] 李辉[1]

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《电子与封装》

基　　金：单片集成电路与模块国家级重点实验室基金项目支持(项目号:51491010205DZ6502)

年　　份：2006

卷　　号：6

期　　号：6

起止页码：31-36

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0．25μm×120μm pHEMT,在6GHz～18GHz频带内,小信号增益14．3 ±0．8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6．5 dB,完全满足MPM要求。

关 键 词：微波单片集成电路 频率均衡器 可调增益  级联型分布放大器  微波功率模块

分 类 号：TN402]