文献类型：期刊文章

作　　者：吴才川[1] 刘斌[1] 谢自力[1] 修向前[1] 陈鹏[1] 韩平[1] 张荣[1] 孔月婵[2] 陈辰[2]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院,江苏南京210093 [2]微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室,江苏南京210016

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家973计划(2011CB301900;2012CB619304;2010CB327504);国家863计划(2011AA03A103);国家自然科学基金(60990311;61274003;60936004;61176063);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金(BK2011010);江苏高校优势学科建设工程资助项目;南京大学扬州光电研究院研发基金

年　　份：2013

卷　　号：50

期　　号：8

起止页码：169-176

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD2013_2014、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：石墨烯具有独特的力学、热学和光电学性能,良好的热稳定性与化学稳定性,是制备高性能导电薄膜的理想材料之一。主要介绍了石墨烯薄膜的制备和表征技术以及石墨烯导电薄膜作为电极应用在GaN基LED中的研究进展和存在的问题,并对石墨烯电极的应用前景进行了展望。

关 键 词：光电子学 石墨烯 氧化铟锡 发光二极管

分 类 号：TN364]