文献类型：期刊文章

作　　者：任春江[1] 李忠辉[1] 焦刚[1] 董逊[1] 李肖[1] 陈堂胜[1] 李拂晓[1]

机构地区：[1]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》

年　　份：2007

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：320-324

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。

关 键 词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 单位截止频率  最高振荡频率

分 类 号：TN325.3]