文献类型：期刊文章

作　　者：焦世龙[1] 陈堂胜[2] 钱峰[3] 冯欧[3] 蒋幼泉[3] 李拂晓[3] 邵凯[3] 叶玉堂[1]

机构地区：[1]电子科技大学光电信息学院,成都610054 [2]单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京210016 [3]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60277008);单片集成电路与模块国家级重点实验室基金(批准号:51491050105DZ0201)资助项目~~

年　　份：2007

卷　　号：28

期　　号：4

起止页码：587-591

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20072310642374)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.

关 键 词：金属-半导体-金属光探测器  分布放大器 光接收机 眼图

分 类 号：TN851]