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电子科技大学IC设计中心 收藏

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研究主题:击穿电压    LDMOS    RESURF    SOI    SOI高压器件    

研究学科:电子信息类    电气类    自动化类    机械类    

被引量:284H指数:9WOS: 29 EI: 30 北大核心: 67 CSCD: 67

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122 条 记 录,以下是 1-10

LDO降压转换器的稳定性分析
1
《微电子学》电子科技大学IC设计中心 马勋 张波  出版年:2004
 通过对LDO降压转换器的原理分析,并借助频域的傅里叶分析方法,对其稳定性和频率响应进行了深入的理论研究,得到了提高系统稳定性的补偿方法。频率响应和瞬态响应的仿真结果表明,这种方法显著改善了LDO降压转换器的频率响应,并...
关键词:LDO 降压转换器 稳定性  频率响应  ESR 调整管 电压基准源 误差放大器 电阻反馈网络  
屏蔽槽SOI高压器件新结构和耐压机理 ( EI收录)
2
《Journal of Semiconductors》电子科技大学IC设计中心 罗小蓉 李肇基 张波 郭宇锋 唐新伟  出版年:2005
国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030)~~
提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影...
关键词:屏蔽槽  自适应界面电荷  调制 纵向电场 击穿电压
新型开关电源的关键技术
3
《微电子学》电子科技大学IC设计中心 罗萍 李强 熊富贵 武洁 牛全民 曾家玲 张波 李肇基  出版年:2005
阐述了新型开关电源的关键技术。采用跨周期调制和电流极限状态机相结合,引入模糊 控制理论和混沌理论,使新型开关电源在能量转换效率、瞬态响应速度、负载调整率、抗扰动性能等 方面的特性得到显著提高;应用频率抖动(FJ)技术,实...
关键词:跨周期调制  电流极限状态机  模糊控制 混沌理论  频率抖动
一种CMOS电流控制振荡器的分析与设计
4
《微电子学》电子科技大学IC设计中心 袁涛 王华 方健 李肇基  出版年:2005
提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器。该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,在5 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间非常小,使产生的输出振荡波形更接近理想矩形波;通过...
关键词:CMOS 电流控制 振荡器 基准电流源
阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型 ( EI收录)
5
《Journal of Semiconductors》电子科技大学IC设计中心 郭宇锋 李肇基 张波 方健  出版年:2004
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 40 )~~
提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷 (SBOC) SOI新型高压器件 ,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型 ,对阶梯数 n从 0到∞时的器件击穿特性进行了研究 .结果表明 ,该结构突破常规 SOI结构纵向耐压极限...
关键词:SOI 埋氧层固定电荷  击穿电压 模型  
具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性 ( EI收录)
6
《Journal of Semiconductors》电子科技大学IC设计中心 罗卢杨 方健 罗萍 李肇基  出版年:2003
提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 ...
关键词:降场电极  U形漂移区  耐压特性 SOI LDMOS RESURF
一种带热滞回功能的过热保护电路
7
《微电子学》电子科技大学IC设计中心 朱国军 唐新伟 李肇基  出版年:2006
由于功率集成电路功率耗散比较大,发热量也大,因此,过热保护电路对于功率集成电路是非常重要的。文章介绍了一种用于集成电路内部的带热滞回功能的过热保护电路。电路不使用齐纳二极管和迟滞比较器,通过简单的反馈,防止了热振荡现象的...
关键词:功率集成电路 过热保护 热滞回  
阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析 ( EI收录)
8
《Journal of Semiconductors》电子科技大学IC设计中心 段宝兴 张波 李肇基  出版年:2005
提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了...
关键词:SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI  电场调制  比导通电阻
一种新型的指数曲率补偿带隙基准源
9
《微电子学》电子科技大学IC设计中心 毛伟 张波  出版年:2006
国家自然科学基金重点项目资助(60436030)
提出了一种新型的指数曲率补偿带隙基准源电路。该电路简单实用,相比一阶补偿带隙基准源,只需增加两只二极管和一只双极晶体管用于指数曲率补偿。运用0.6μm的BiCMOS工艺模型仿真,在0~70℃温度范围内,一阶补偿的带隙基准...
关键词:带隙基准电压源 一阶补偿  指数曲率补偿  
一种高温段指数曲率补偿电压基准源
10
《微电子学》电子科技大学IC设计中心 马超 刘永根 薛卫东 张波  出版年:2007
设计了一种全双极电压基准源结构,利用BJT反向饱和电流的温度特性,对一阶补偿的基准电压进行指数曲率补偿,改善了基准输出电压的温度特性。Hspice仿真结果表明,在-25~130℃范围内,补偿后的基准电压温度系数从14.3...
关键词:双极集成电路 电压基准源 指数曲率补偿  
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