文献类型：期刊文章

作　　者：罗小蓉[1] 李肇基[1] 张波[1] 郭宇锋[1] 唐新伟[1]

机构地区：[1]电子科技大学IC设计中心,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:60436030)~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：11

起止页码：2154-2158

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出具有屏蔽槽的SOI高压器件新结构和自适应界面电荷耐压模型.该结构在屏蔽槽内产生跟随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋层介质的纵向电场增加,同时使顶层硅的纵向电场降低,并对表面电场进行调制,因此屏蔽了高电场对顶层硅的影响.借助二维器件仿真研究器件耐压和电场分布与结构参数的关系.结果表明,该结构使埋氧层的电场从传统的3ESi升高到近600V/μm,突破了传统SOI器件埋氧层的耐压值,大大提高了SOI器件的击穿电压.

关 键 词：屏蔽槽  自适应界面电荷  调制 纵向电场 击穿电压

分 类 号：TN43]