文献类型：期刊文章

作　　者：罗卢杨[1] 方健[1] 罗萍[1] 李肇基[1]

机构地区：[1]电子科技大学IC设计中心,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2003

卷　　号：24

期　　号：2

起止页码：194-197

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区掺杂浓度和耐压之间矛盾的有效方法 .该结构是一种器件耐压与导通电阻优化的新途径 .

关 键 词：降场电极  U形漂移区  耐压特性 SOI LDMOS RESURF

分 类 号：TN386.2]