文献类型：期刊文章

作　　者：郭宇锋[1] 李肇基[1] 张波[1] 方健[1]

机构地区：[1]电子科技大学IC设计中心,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 40 )~~

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：12

起止页码：1695-1700

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005088854051)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷 (SBOC) SOI新型高压器件 ,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型 ,对阶梯数 n从 0到∞时的器件击穿特性进行了研究 .结果表明 ,该结构突破常规 SOI结构纵向耐压极限 ,使埋氧层电场从常规 75 V/μm提高到 5 0 0 V/μm以上 ;同时得到均匀的表面电场分布 ,缓解了器件尺寸和击穿电压之间的矛盾 ,因此 SBOC结构是一种改善 SOI耐压的良好结构 .

关 键 词：SOI 埋氧层固定电荷  击穿电压 模型  

分 类 号：TN386]