文献类型：期刊文章

作　　者：段宝兴[1] 张波[1] 李肇基[1]

机构地区：[1]电子科技大学IC设计中心,成都610054

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：7

起止页码：1396-1400

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005329290478)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种阶梯埋氧型SOI(SBOSOI)RESURF器件结构,并解释了该结构的场调制耐压机理,通过2D MEDICI仿真验证了调制机理的正确性.优化了阶梯埋氧阶梯数与耐压的关系,得出阶梯数为3时耐压达到饱和.模拟仿真了比导通电阻和击穿电压,结果表明该结构在埋层厚度为0.2～0.8μm时可使比导通电阻降低40%～50%,耐压提高30%～50%;漂移区厚度小于1μm时比导通电阻降低10%～50%,耐压提高10%～50%.

关 键 词：SOI RESURF结构 阶梯埋氧型SOI  电场调制  比导通电阻

分 类 号：TN405]