期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]电子科技大学IC设计中心,四川成都610054
基 金:国家自然科学基金重点项目资助(60436030)
年 份:2006
卷 号:36
期 号:4
起止页码:495-497
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要:提出了一种新型的指数曲率补偿带隙基准源电路。该电路简单实用,相比一阶补偿带隙基准源,只需增加两只二极管和一只双极晶体管用于指数曲率补偿。运用0.6μm的BiCMOS工艺模型仿真,在0~70℃温度范围内,一阶补偿的带隙基准源温度系数为22.8ppm/℃;而运用文章提出的指数曲率补偿结构后,温度系数为7.8ppm/℃。
关 键 词:带隙基准电压源 一阶补偿 指数曲率补偿
分 类 号:TN432]
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