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中国电子科技集团公司第五十八研究所 收藏

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研究主题:FPGA    基于FPGA    DSP    集成电路    电路设计    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    机械类    交通运输类    

被引量:550H指数:8WOS: 3 EI: 9 北大核心: 47 CSSCI: 1 CSCD: 19

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325 条 记 录,以下是 1-10

晶圆级封装中的垂直互连结构
1
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所;厦门大学电子科学与技术学院 徐罕 朱亚军 戴飞虎 高娜燕 吉勇 王成迁  出版年:2021
随着电子产品需求的不断提升,半导体封装技术的发展已经从2D结构发展到2.5D乃至3D结构,这对包括高密度集成和异质结构封装在内的系统级封装(System in Packaging,SiP)提出了更高的要求。以当下热门的晶...
关键词:晶圆级封装 垂直互连 硅通孔  塑封通孔  玻璃通孔  
一种高精度RC振荡器的设计
2
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所 邓玉清 葛兴杰 宣志斌  出版年:2019
提出了一种基于CSMC 0.25μm CMOS工艺、输出高精度方波信号的低成本RC振荡器。采用正负温度系数电阻的线性叠加,产生不受温度影响的充电电流,消除了温度对精度的影响。增加修调电容,补偿工艺偏差对精度的影响,实现高...
关键词:高精度  RC振荡器 CMOS工艺
微量元素添加对多元Sn-Bi系焊料合金组织与性能的影响
3
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第五十八研究所;苏州优诺电子材料科技有限公司 徐衡 罗登俊 颜炎洪 李守委 高娜燕  出版年:2021
传统焊料合金由于熔点温度高,不能满足部分有机基板、温度敏感器件以及3D封装等多层封装形式的低温封装要求。以Sn-Bi合金为基体,通过添加微量Ag、Cu、Co和Ni元素形成新型多元合金,对多元合金的熔化性能、润湿性能、微观...
关键词:SN-BI合金 硅通孔(TSV)  3D封装 熔点  润湿性 微观组织  
后摩尔时代的技术创新
4
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所;华虹半导体(无锡)有限公司 许居衍 黄安君  出版年:2020
从半导体技术与架构分类的角度出发,从科技范式的高度揭示了后摩尔时代百花斗艳的创新图象。基于硅CMOS技术和冯·诺依曼计算架构所形成的"硅-冯"范式,仍将长期主导电子信息产业的发展,但创新主体已从技术转向架构。与此同时,在...
关键词:摩尔定律  硅-冯范式  类硅模式  类脑模式  异构集成 芯粒  
硬件木马威胁与识别技术综述
5
《信息网络安全》中国电子科技集团公司第五十八研究所;中国电子科学研究院;西安电子科技大学微电子学院 周昱 于宗光  出版年:2016
软件木马曾被认为是计算机系统的唯一安全威胁,计算机系统内的硬件即集成电路被普遍认为是安全可信的。但随着硬件木马这一针对集成电路及其应用的新的安全威胁的出现,打破了硬件安全可信的传统观点。硬件木马是集成电路在设计与制造过程...
关键词:硬件木马  IP安全性验证  旁路分析  逻辑测试  光学分析  
输出电容对LDO稳定性影响分析
6
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所 何光旭 马文超 王彬  出版年:2017
由于线性调节器内部没有开关管产生的交流开关损耗,同时比开关电源具有较低的RFI干扰,因此在现代电源系统中,仍然有它的一席之地。低压降集成线性稳压器即LDO是线性调节器的一种,一般采用P-FET或者PNP作为调整管,导通压...
关键词:LDO 前馈补偿 输出电容补偿  
8B/10B编码器新型算法结构的设计与实现
7
《微电子学与计算机》江南大学物联网工程学院;中国电子科技集团公司第五十八研究所 王方 周璐 张正璠  出版年:2016
333高层次人才培养工程专项(2007124);广东省部产学研合作引导项目(2009B090300416)
针对目前数据传输对高速率的要求,在保留传统8B/10B编码优点的基础上,设计并实现了一种8B/10B新型算法结构,完成数据码和特殊码并行编码,编码器通过Cadence的NCVerilog进行功能验证,完成电路仿真与实现....
关键词:8B/10B 并行编码  游程值  高速通信
“一带一路”半导体产业投资分析
8
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所 马慧红 顾爱军  出版年:2018
"一带一路"是中国提出的重要的国际合作倡议,顺应和平、发展、合作、共赢的时代潮流,得到国际社会的广泛关注和众多国家的积极响应。作为国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,半导体产业的全球化发展继续呈现增长势头。随...
关键词:“一带一路”  海外投资  半导体产业 集成电路发展  
C波段GaN高功率放大器设计
9
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所 夏永平 李贺 魏斌  出版年:2018
采用内匹配和功率合成技术,设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成,在陶瓷(Al2O3)基片上设计制作功分器,使其输入输出阻抗均为50Ω。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上,增...
关键词:GaNHEMT  内匹配 功率放大器  功率合成
用于反熔丝型FPGA的多电平IO端口电路设计
10
《电子与封装》中国电子科技集团公司第五十八研究所 蔺旭辉 曹靓 马金龙 王栋  出版年:2017
设计了一种用于反熔丝型FPGA的多标准IO端口电路。通过端口电路,可将定义好的外部信号输入到FPGA内部用来实现用户需要的逻辑功能,并且将所需的内部信号输出到外部引脚。端口电路也实现芯片内部工作电平和外部工作电平之间的相...
关键词:反熔丝 FPGA IO标准  
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