登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

后摩尔时代的技术创新    

Technological Innovation in the Post-Moore Law Period

  

文献类型:期刊文章

作  者:许居衍[1] 黄安君[2]

XU Juyan;HUANG Anjun(China Electronic Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China;Huahong Semiconductor(Wuxi)Co.,LTD.,Wuxi 214000,China)

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072 [2]华虹半导体(无锡)有限公司,江苏无锡214000

出  处:《电子与封装》

年  份:2020

卷  号:20

期  号:12

起止页码:1-4

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:从半导体技术与架构分类的角度出发,从科技范式的高度揭示了后摩尔时代百花斗艳的创新图象。基于硅CMOS技术和冯·诺依曼计算架构所形成的"硅-冯"范式,仍将长期主导电子信息产业的发展,但创新主体已从技术转向架构。与此同时,在冯氏架构下,探索类同硅CMOS的器件技术创新("类硅"模式)和采用硅CMOS技术模拟脑神经的非冯架构创新("类脑"模式)也在应用推动下得到快速发展。现行架构下的新兴技术创新和现行技术下的新兴架构创新终将迎来技术与架构全新的颠覆性创新("新兴"范式),从而再一次回归到物理基础创新。

关 键 词:摩尔定律  硅-冯范式  类硅模式  类脑模式  异构集成 芯粒  

分 类 号:TN40]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心