期刊文章详细信息
C波段GaN高功率放大器设计
Design of C-Band GaN High Power Amplifier
文献类型：期刊文章
XIA Yongping;LI He;WEI Bin(China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China)
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214072
年 份：2018
卷 号：18
期 号：1
起止页码：34-38
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：采用内匹配和功率合成技术,设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成,在陶瓷(Al2O3)基片上设计制作功分器,使其输入输出阻抗均为50Ω。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上,增益大于11 d B,功率附加效率大于48%,功率合成效率比达到90%。
关 键 词：GaNHEMT 内匹配 功率放大器 功率合成
分 类 号：TM931]
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