- 低位错锗单晶片的表面位错腐蚀研究 ( EI收录)
- 1
- 《稀有金属》北京国晶辉红外光学科技有限公司;有研光电新材料有限责任公司 张路 霍承松 马远飞 马会超 林泉 冯德伸 出版年:2022
- 关键词:锗单晶 位错密度 抛光 腐蚀 偏离角度
- 红外LED用掺硅HB-GaAs单晶纵向载流子浓度分布研究 ( EI收录)
- 2
- 《人工晶体学报》有研光电新材料有限责任公司 马英俊 林泉 于洪国 马会超 许兴 李万朋 许所成 出版年:2020
- 关键词:砷化镓 水平布里奇曼法 位错密度 熔区长度 窄熔区技术 载流子浓度分布
- 基于DEFORM的单晶锗的切削仿真及实验分析
- 3
- 《世界有色金属》有研光电新材料有限责任公司;北京有色金属研究总院 曲骏 冯德伸 马远飞 林泉 闵振东 出版年:2019
- 关键词:DEFORM 单晶锗 切削速度 切削量 表面粗糙度
- 泡生法 90 公斤级蓝宝石晶体的生长与研究 ( EI收录)
- 4
- 《人工晶体学报》北京有色金属研究总院;有研光电新材料有限责任公司 刘春雷 李楠 蔡迅 黎建明 出版年:2013
- 关键词:蓝宝石晶体 泡生法 气泡 结晶性质
- 应用于红外晶体内圆切片加工的组合式工装
- 5
- [实用新型] 有研光电新材料有限责任公司 20161215魏嵘 闵振东 旷文飞 出版年:2017
- 一种大尺寸单晶倒角装夹机构
- 6
- [实用新型] 有研光电新材料有限责任公司 20190522曲骏 闵振东 霍承松 出版年:2020
- 锗晶体缺陷图谱
- 7
- [国家标准] 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;有研光电新材料有限责任公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;中锗科技有限公司;广东先导稀材股份有限公司;云南东昌金属加工有限公司;有色金属技术 2018-12-28 (现行) 出版年:2018
- 本标准规定了锗多晶、锗单晶制备私机械加_卫过程,卜产生的缺陷,给出’r各类缺陷的特征、产生原因及消除方法。本标准适用于区熔锗锭、锗单品、锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷。
- 水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法
- 8
- [发明专利] 有研光电新材料有限责任公司 20171227马英俊 郑安生 马远飞 林泉 易见伟 龙彪 张洁 邢爱君 出版年:2018
- 石英坩埚腐蚀桶及腐蚀结构
- 9
- [实用新型] 有研光电新材料有限责任公司 20210220柴晨 闵振东 王博 魏炜 林泉 马英俊 许兴 李万朋 张路 刘向前 出版年:2022
- 垂直法单晶生长用坩锅
- 10
- [实用新型] 有研光电新材料有限责任公司 20151221郑安生 于洪国 刘春雷 马英俊 林泉 刘晓慧 出版年:2016