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专利详细信息

垂直法单晶生长用坩锅       

文献类型:专利

专利类型:实用新型

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201521067866.0

申 请 日:20151221

发 明 人:郑安生 于洪国 刘春雷 马英俊 林泉 刘晓慧

申 请 人:有研光电新材料有限责任公司

申请人地址:065001 河北省廊坊市开发区百合道4号

公 开 日:20160601

公 开 号:CN205275773U

代 理 人:刘秀青;熊国裕

代理机构:11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司

语  种:中文

摘  要:本实用新型公开了一种垂直法单晶生长用坩锅,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。所述籽晶腔部分长度为60±2mm,内径为16+0.1mm,壁厚为3±0.2mm;放肩部分长度为50±2mm,壁厚为3±0.2mm;等径部分长度为200±2mm,内径为106±2mm,壁厚为3±0.2mm。本实用新型在传统坩锅基础上进行了尺寸和结构形状的改进优化,可生长4英寸的单晶,有效降低了单晶的位错密度,提高了单晶质量,增加了单晶的有效利用率和合格率,降低了生产成本。

主 权 项:1.一种垂直法单晶生长用坩锅,其特征在于,该坩锅自上向下依次为等径部分、放肩部分和籽晶腔部分,籽晶腔部分的下端封闭;等径部分和籽晶腔部分为圆柱形,放肩部分为锥形。

关 键 词:单晶 籽晶 等径部分  壁厚  放肩 坩锅  有效利用率  单晶生长 结构形状  下端封闭  垂直法  实用  位错 生产成本  合格率  生长  优化  改进  

IPC专利分类号:C30B11/00(20060101);C30B13/14(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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