文献类型：期刊文章

作　　者：马英俊[1] 林泉[1] 于洪国[1] 马会超[1] 许兴[1] 李万朋[1] 许所成[1]

MA Yingjun;LIN Quan;YU Hongguo;MA Huichao;XU Xing;LI Wanpeng;XU Suocheng(GRINM Electro-Optic Materials Co.,Ltd.,Langfang 065001,China)

机构地区：[1]有研光电新材料有限责任公司,廊坊065001

出　　处：《人工晶体学报》

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：8

起止页码：1555-1561

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：GaAs单晶作为一种重要的LED衬底材料在光电器件中应用十分广泛,但载流子浓度(C.C.)分布不均、杂质浓度过高等缺陷会严重影响相关器件的性能。为制备纵向载流子浓度分布均匀的掺硅HB-GaAs单晶,本文探讨了单晶生长过程中熔区长度对纵向载流子浓度分布的影响。以高纯GaAs多晶为原料,设定不同的拉晶温度曲线,采用窄熔区技术进行晶体生长研究,最终生长出C.C.值分布更均匀、位错密度低(EPD≤10000 cm^-2)的<111>向N型掺硅GaAs单晶。利用辉光放电质谱法(GDMS)和范德堡法霍尔效应测试对晶体进行了表征,单晶纯度达到5N且无硼杂质沾污。

关 键 词：砷化镓 水平布里奇曼法  位错密度 熔区长度  窄熔区技术  载流子浓度分布  

分 类 号：O78]